Биполярные транзисторы
Характеристики
| Обозначение | 2Т841Б1 |
| Структура | NPN |
| Корпус | КТ-28-2 (TO-220) |
| Монтаж | THT |
| Примечание | Планарный n-p-n транзистор |
|
Состояние производства Статус |
Сер/произв-во |
| Наименование ТУ | аА0.339.625ТУ |
| Назначение | ВП |
|
Диапазон температур эксплуатации
Тэкспл, ⁰С |
-60 |
|
Тэкспл max, ⁰С |
125 |
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
Рmax, Вт |
30 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база Uкб max, B |
400 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max, B |
400 |
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max, B |
5 |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас, В |
1.5 |
|
при @Iк, А |
5 |
|
при @Iб, А |
1 |
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк max, A |
10 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц |
10 |
|
Статический коэффициент передачи тока
h21э |
10 |
Документы
2Т841_1 аА0.339.625 ТУ
Размер:
1.6 Мб